Samsung Electronics, gelişmiş DRAM üretiminde yeni nesil High NA EUV litografi teknolojisini kullanmaya hazırlanıyor. Şirket, ASML ile iş birliğini genişleterek teknolojiyi 2028'de seri üretimi DRAM belleklere dahil etmeyi hedefliyor. DRAM üretiminde yeni nesil hamle Şirketin planına göre High NA EUV litografi ekipmanları, 2028 itibarıyla gelişmiş DRAM ürünlerinin seri üretiminde kullanılacak.
Bu, Samsung'un High NA EUV'yi DRAM seri üretimine uygulayacağı ilk dönem olacak. Şirket, söz konusu ekipmanı gelişmiş DRAM seri üretim ürünlerinde kullanarak üretim sürecine ilişkin koşulları, üretim verimini ve üretkenliği doğrulamayı planlıyor. High NA EUV, mevcut EUV ekipmanlarına kıyasla daha yüksek sayısal açıklık (NA) değeri kullanarak daha karmaşık devrelerin oluşturulmasını sağlayan yeni nesil bir litografi teknolojisi olarak öne çıkıyor.
Geleneksel EUV sistemlerinde 0,33 olan sayısal açıklık (NA) değeri, High NA EUV sistemlerinde 0,55'e yükseliyor. Daha yüksek çözünürlük sayesinde, geleneksel EUV ile birden fazla pozlama gerektiren bazı üretim adımlarının azaltılması mümkün hale geliyor. Bu durum hem çiplerin daha fazla küçültülmesine hem de üretim süreçlerinin sadeleştirilmesine katkı sağlıyor.
