Samsung, SEMICON Taiwan 2026 kapsamında yeni bellek yol haritasını açıkladı. Şirketin planlarında HBM5 ve HBM mimarisinde köklü değişiklikler sağlayacak zHBM öne çıkarken NAND tarafında ise zNAND-O geliştiriliyor. HBM5 ile performans ikiye katlanacak Samsung’un yol haritasına göre HBM5, HBM4E’ye kıyasla iki kat ham performans artışı sunacak.
Şirket ayrıca watt başına performans değerinde yüzde 20 artış ve termal dirençte yüzde 20 azalma öngörüyor. HBM5’in en önemli değişikliklerinden biri taban yongasında olacak. HBM4 ve HBM4E’de kullanılan 4 nm üretim süreci yerine Samsung’un kendi 2 nm üretim teknolojisine geçilecek.
Bellek yığını için de 12, 16 ve 20 katmanlı seçenekler sunulacak. HBM5’in seri üretiminin 2028 civarında başlaması bekleniyor. Samsung, HBM4 nesil üzerindeki çalışmalarını da sürdürüyor.
Şirket şu anda pin başına 11,7 Gbps hızında çalışan HBM4 gönderiyor. Samsung, Hot Chips 2026 konferansının Advance Program bölümünde 16 Gbps/pin hızında HBM4E göndermeye hazırlandığını doğrulamıştı. zHBM, belleği işlemcinin üzerine taşıyor Samsung’un daha uzun vadeli planında ise HBM tasarımını kökten değiştiren zHBM bulunuyor. Geleneksel HBM mimarisinde bellek, hızlandırıcının yanında konumlandırılırken zHBM’de bellek doğrudan işlemcinin üzerine yerleştiriliyor.
Böylece veri yolu kısalıyor ve daha yüksek bant genişliği ile daha iyi enerji verimliliği hedefleniyor. Samsung, zHBM için HBM4E’ye göre 8 kat ham performans ve watt başına performansta 3 kat iyileşme hedefliyor. Mimari değişikliğin termal açıdan da önemli bir etkisi olması bekleniyor.
Şirket, termal direnci yüzde 75 ila 90 arasında azaltmayı amaçlıyor. Samsung, FMS 2026 etkinliğinde zHBM’nin sektördeki ilk konsept modellerini göstermişti. Bundan birkaç hafta önce zHBM dahil olmak üzere diğer bellekler için ayrıntılı bir içerik hazırlamıştık.
Tamamen farklı bir HBM mimarisi kullanan teknolojinin 2029 sonrasında piyasaya çıkması bekleniyor. NAND tarafında zNAND-O geliyor Samsung, NAND tarafındaki çalışmalarında ise zNAND-O üzerinde çalışıyor ve teknoloji için ilk örneklemelerin 2028’de başlaması planlanıyor. zNAND-O ile DRAM’in 10 katı bit yoğunluğu hedeflenirken okuma bant genişliğinin geleneksel NAND çözümlerine kıyasla 7 kata çıkarılması planlanıyor. Buna karşın teknolojinin geleneksel NAND seviyesindeki güç verimliliğini koruması amaçlanıyor.
